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MMBTH10-4LT1G
Bipolar - RF Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩84 |
| 50+ | ₩74 |
| 100+ | ₩64 |
| 500+ | ₩58 |
| 1500+ | ₩57 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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주문 배수수량: 5
₩420
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBTH10-4LT1G복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드2774795
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max25V
Transition Frequency800MHz
Power Dissipation225mW
Continuous Collector Current999A
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min120hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
800MHz
Continuous Collector Current
999A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
225mW
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE Min
120hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.004536