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NDT452AP
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5 A, 0.065 ohm, SOT-223, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NDT452AP
주문 코드9846280
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The NDT452AP is a P-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000165