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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NJD35N04G
주문 코드2535651
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo350V
Power Dissipation Pd45W
DC Collector Current4A
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE300hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
45W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
300hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
350V
DC Collector Current
4A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000864