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NJW1302G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Through Hole
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|---|---|
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| 500+ | ₩5,193 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NJW1302G복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드2535654
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min45hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The NJW1302G are power transistors for high power audio, disk head positioners and other linear applications.
- Exceptional safe operating area
- NPN/PNP gain matching within 10% from 50 mA to 5 A
- Excellent gain linearity
- High BVCEO
- High frequency
애플리케이션
Audio, Sound & Video
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
15A
Transistor Case Style
TO-3P
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
45hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation
200W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
30MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:South Korea
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.005216