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NSS40301MDR2G
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 40 V, 3 A, 653 mW
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩2,320 | ₩2,320 |
| 총계 가격 | ₩2,320 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,320 |
| 10+ | ₩1,464 |
| 100+ | ₩969 |
| 500+ | ₩757 |
| 1000+ | ₩579 |
| 5000+ | ₩568 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NSS40301MDR2G복사
제조업체 표준 리드 타임12주
주문 코드
리릴링3368649RL
컷 테이프3368649
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN3A
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN653mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN180hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
8Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
Continuous Collector Current NPN
3A
Power Dissipation NPN
653mW
DC Current Gain hFE Min NPN
180hFE
Transistor Case Style
SOIC
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000218