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NTB082N65S3F
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTB082N65S3F복사
제조업체 표준 리드 타임21주
주문 코드
리릴링2895635RL
컷 테이프2895635
Product RangeSUPERFET III FRFET
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩9,802 | ₩9,802 |
| 총계 가격 | ₩9,802 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩9,802 |
| 5+ | ₩9,099 |
| 10+ | ₩8,396 |
| 50+ | ₩8,337 |
| 100+ | ₩8,278 |
| 250+ | ₩8,113 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTB082N65S3F복사
제조업체 표준 리드 타임21주
주문 코드
리릴링2895635RL
컷 테이프2895635
Product RangeSUPERFET III FRFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation313W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III FRFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
313W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III FRFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
NTB082N65S3F의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0001