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NTD20N03L27T4G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 20 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,506 |
| 10+ | ₩1,189 |
| 100+ | ₩1,060 |
| 500+ | ₩1,039 |
| 1000+ | ₩1,018 |
| 5000+ | ₩997 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTD20N03L27T4G복사
제조업체 표준 리드 타임46주
주문 코드2317623
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation74W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The NTD20N03L27T4G is a N-channel logic level vertical general purpose Power MOSFET provides the best of design in a power package. Avalanche energy issues make this part is an ideal design. The drain-to-source diode has an ideal fast but soft recovery.
- Ultra-low RDS (ON), single base, advanced technology
- Diode is characterized for use in bridge circuits
- IDSS and VDS (ON) Specified at elevated temperatures
- High avalanche energy specified
- ESD JEDAC rated HBM Class 1, MM Class A, CDM Class 0
- -55 to 175°C Operating temperature range
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
74W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
NTD20N03L27T4G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000446