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NTD2955T4G
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩2,178 |
| 10+ | ₩1,435 |
| 100+ | ₩1,067 |
| 500+ | ₩809 |
| 2500+ | ₩780 |
| 7500+ | ₩751 |
| 20000+ | ₩722 |
| 37500+ | ₩692 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTD2955T4G
주문 코드2317614
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation55W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The NTD2955T4G is a -60V P-channel Power MOSFET designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. It is designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls. This device is particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer an additional safety margin against unexpected voltage transients.
- Avalanche energy specified
- IDSS and VDS (on) specified at elevated temperature
- ±20V Gate to source voltage
- 2.73°C/W Thermal resistance, junction to case
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
55W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00033