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NTD3055L104T4G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 12 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩2,891 |
| 10+ | ₩1,809 |
| 100+ | ₩1,196 |
| 500+ | ₩948 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTD3055L104T4G복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드2317615
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.104ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation48W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The NTD3055L104T4G is a N-channel Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.
- Lower RDS (ON)
- Lower VDS (ON)
- Lower and tighter VSD
- Lower diode reverse recovery time
- Lower reverse recovery stored charge
- -55 to 175°C Operating temperature range
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.104ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00033