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NTD6416ANLT4G
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 19 A, 0.074 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩2,080 | ₩10,400 |
| 총계 가격 | ₩10,400 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩2,080 |
| 50+ | ₩1,746 |
| 100+ | ₩1,411 |
| 500+ | ₩1,143 |
| 1000+ | ₩1,025 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 2500+ | ₩832 |
| 7500+ | ₩816 |
라인 메모 추가
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTD6416ANLT4G복사
제조업체 표준 리드 타임19주
주문 코드
풀릴2442203
리릴링1879967RL
컷 테이프1879967
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.074ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation71W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The NTD6416ANLT4G is a N-channel Power MOSFET offers 100V drain source voltage and 19A continuous drain current.
- Lower RDS (ON)
- High current capability
- 100% Avalanche tested
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.074ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001272