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NTGD4167CT1G
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.6 A, 2.6 A, 0.052 ohm
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩935 | ₩4,675 |
| 총계 가격 | ₩4,675 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩935 |
| 50+ | ₩688 |
| 100+ | ₩609 |
| 500+ | ₩468 |
| 1500+ | ₩459 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩247 |
| 9000+ | ₩242 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTGD4167CT1G복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드
풀릴2442206
리릴링2533185RL
컷 테이프2533185
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.6A
Continuous Drain Current Id P Channel2.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.052ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.052ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel900mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.052ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
900mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.052ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000076