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NTJD4152PT1G
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩641 | ₩3,205 |
| 총계 가격 | ₩3,205 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩641 |
| 50+ | ₩523 |
| 100+ | ₩405 |
| 500+ | ₩224 |
| 1500+ | ₩220 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩170 |
| 9000+ | ₩167 |
라인 메모 추가
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTJD4152PT1G복사
제조업체 표준 리드 타임22주
주문 코드
풀릴2442224
리릴링2533191RL
컷 테이프2533191
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel880mA
Continuous Drain Current Id P Channel880mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.215ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.215ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel272mW
Power Dissipation P Channel272mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
880mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.215ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
272mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
880mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.215ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
272mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000046