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NTR4003NT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTR4003NT1G
주문 코드1453635
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id560mA
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The NTR4003NT1G is a N-channel Small-signal MOSFET offers 30V drain source voltage and 0.5A continuous drain current. It is suitable for notebooks used as level shifters, logic switches and low side load switches.
- Low gate voltage threshold VGS (th) to facilitate drive circuit design
- Low gate charge for fast switching
- ESD protected gate
- SOT-23 Package provides excellent thermal performance
- Minimum breakdown voltage rating of 30V
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
560mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000073