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NTR4170NT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩917 | ₩4,585 |
| 총계 가격 | ₩4,585 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩917 |
| 50+ | ₩749 |
| 100+ | ₩581 |
| 500+ | ₩266 |
| 1500+ | ₩261 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩203 |
| 9000+ | ₩178 |
라인 메모 추가
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTR4170NT1G복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
풀릴2442258
리릴링2533202RL
컷 테이프2533202
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation480mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The NTR4170NT1G is a N-channel Power MOSFET offers 30V drain source voltage and 2.4A continuous drain current. It is suitable for power converters for portables, battery management and load/power switch applications.
- Low RDS (ON)
- Low gate charge
- Low threshold voltage
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
480mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000002