페이지 인쇄
NTZD3155CT2G
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
3,590 재고
55,480 지금 제품을 예약하실 수 있습니다
3,590 3-4 영업일 이내 배송(싱가폴 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩325 | ₩1,625 |
| 총계 가격 | ₩1,625 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩325 |
| 10+ | ₩189 |
| 100+ | ₩126 |
| 500+ | ₩98 |
| 1000+ | ₩95 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTZD3155CT2G복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
리릴링2724460RL
컷 테이프2724460
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel540mA
Continuous Drain Current Id P Channel540mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.4ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
540mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
540mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.4ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
NTZD3155CT2G의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000302