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NVE4153NT1G
Power MOSFET, N Channel, 26 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,250 | ₩6,250 |
| 총계 가격 | ₩6,250 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,250 |
| 10+ | ₩771 |
| 100+ | ₩499 |
| 500+ | ₩380 |
| 1000+ | ₩293 |
| 5000+ | ₩260 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVE4153NT1G복사
제조업체 표준 리드 타임21주
주문 코드
리릴링2473420RL
컷 테이프2473420
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds26V
Continuous Drain Current Id915mA
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleSC-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max760mV
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
915mA
Transistor Case Style
SC-89
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
26V
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
760mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
NVE4153NT1G의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0007