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NVF3055L108T1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVF3055L108T1G
주문 코드2630364
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.68V
Power Dissipation2.1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.68V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
NVF3055L108T1G의 대체 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00004