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NVH4L060N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 46 A, 900 V, 0.084 ohm, TO-247
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩21,942 |
| 5+ | ₩20,659 |
| 10+ | ₩19,375 |
| 50+ | ₩18,092 |
| 100+ | ₩16,808 |
| 250+ | ₩15,551 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVH4L060N090SC1
주문 코드3588884
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.084ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation221W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
46A
Drain Source On State Resistance
0.084ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
221W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002