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NVMFS4C03NT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVMFS4C03NT1G
주문 코드3368862
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id159A
Drain Source On State Resistance0.0014ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation77W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
159A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
77W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004