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NXH80T120L2Q0S2G
IGBT Module, PIM Half Bridge Inverter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NXH80T120L2Q0S2G
주문 코드2835631
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationPIM Half Bridge Inverter
Continuous Collector Current67A
Collector Emitter Saturation Voltage2.35V
Power Dissipation158mW
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
기술 사양
IGBT Configuration
PIM Half Bridge Inverter
Collector Emitter Saturation Voltage
2.35V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Continuous Collector Current
67A
Power Dissipation
158mW
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.026838