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수량 | 가격 |
---|---|
1+ | ₩51,738 |
5+ | ₩47,235 |
10+ | ₩42,731 |
50+ | ₩38,228 |
100+ | ₩35,652 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NXV65HR82DS1
주문 코드3677747
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.073ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation126W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
126W
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.073ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.5