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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호1N5820G복사
제조업체 표준 리드 타임34주
주문 코드2317410
Product Range1N5820
기술 데이터 시트
Repetitive Peak Reverse Voltage20V
Average Forward Current3A
Diode ConfigurationSingle
Diode Case StyleDO-201AD
No. of Pins2Pins
Forward Voltage Max475mV
Forward Surge Current80A
Operating Temperature Max125°C
Diode MountingThrough Hole
Product Range1N5820
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The 1N5820G is an axial-leaded Schottky Barrier Rectifier with moulded epoxy case, all external surfaces corrosion-resistant and terminal leads are readily solderable finish. This series employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes and polarity protection diodes.
- Extremely low forward voltage
- Low power loss/high efficiency
- Low stored charge and majority carrier conduction
- 24V Non-repetitive peak reverse voltage
- 14V RMS reverse voltage
- 28°C/W Junction-to-ambient thermal resistance
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Repetitive Peak Reverse Voltage
20V
Diode Configuration
Single
No. of Pins
2Pins
Forward Surge Current
80A
Diode Mounting
Through Hole
Qualification
-
Average Forward Current
3A
Diode Case Style
DO-201AD
Forward Voltage Max
475mV
Operating Temperature Max
125°C
Product Range
1N5820
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
1N5820G의 대체 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001152