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2N7002DW.
MOSFET, DUAL N CH, 60V, 115MA, SOT-363
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩750 |
| 50+ | ₩361 |
| 100+ | ₩321 |
| 250+ | ₩286 |
| 500+ | ₩251 |
| 1000+ | ₩245 |
| 2500+ | ₩241 |
| 5000+ | ₩236 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호2N7002DW.복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드1704730
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel115mA
Continuous Drain Current Id P Channel115mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.6ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel200mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
115mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.6ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
200mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
115mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.6ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
기술 문서 (1)
2N7002DW.의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003629