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2N7002ET1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 310 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩166 | ₩830 |
| 총계 가격 | ₩830 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩166 |
| 50+ | ₩155 |
| 100+ | ₩144 |
| 500+ | ₩106 |
| 1500+ | ₩104 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩69 |
| 9000+ | ₩68 |
라인 메모 추가
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호2N7002ET1G복사
제조업체 표준 리드 타임29주
주문 코드
풀릴2317895
리릴링2317616RL
컷 테이프2317616
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id310mA
Drain Source On State Resistance2.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation420mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
제품 개요
The 2N7002ET1G is a N-channel small signal MOSFET in Trench technology and low drain to source voltage. Suitable for low side load switch and level shift circuits.
- 1.2A Pulsed drain current
- ±20V Gate-source voltage
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, Consumer Electronics
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
310mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
420mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
2N7002ET1G의 대체 제품
4개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000033