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BC847CDXV6T1G
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 45 V, 100 mA, 500 mW
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩318 |
| 50+ | ₩195 |
| 250+ | ₩141 |
| 1000+ | ₩123 |
| 2000+ | ₩107 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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주문 배수수량: 5
₩1,590
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BC847CDXV6T1G복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
컷 테이프2533310
컷 테이프2533310RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN45V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN500mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN420hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
45V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
500mW
DC Current Gain hFE Min NPN
420hFE
Transistor Case Style
SOT-563
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000635