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BD179G.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225AA, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BD179G.복사
주문 코드9557059
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation30W
Transistor Case StyleTO-225AA
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min3hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The BD179G is a 80V NPN medium-power silicon Bipolar Transistor designed for use in 5 to 10W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
- Complementary with BD180
애플리케이션
Industrial, Power Management, Audio
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
TO-225AA
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
30W
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
3hFE
Product Range
-
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2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000454