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BSS63LT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩192 | ₩960 |
| 총계 가격 | ₩960 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩192 |
| 50+ | ₩156 |
| 100+ | ₩119 |
| 500+ | ₩78 |
| 1500+ | ₩76 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩74 |
| 9000+ | ₩73 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BSS63LT1G복사
제조업체 표준 리드 타임14주
주문 코드
풀릴2317860
리릴링2317592RL
컷 테이프2317592
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current100mA
Power Dissipation225mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency95MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BSS63LT1G is a PNP high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.
- Can be soldered using wave or reflow
- PNP complement is BSP62T1
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
100mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
225mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
95MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
BSS63LT1G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000132