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BUV22G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 40 A, 250 W, TO-3, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BUV22G복사
주문 코드1611322
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current40A
Power Dissipation250W
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins2Pins
Transition Frequency8MHz
DC Current Gain hFE Min8hFE
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The BUV22G is an NPN Silicon Power Transistor designed for high-speed, high-current and high-power applications.
- High DC current gain
- Very fast switching times
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
40A
Transistor Case Style
TO-3
No. of Pins
2Pins
DC Current Gain hFE Min
8hFE
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation
250W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
8MHz
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
기술 문서 (2)
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85331000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001