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FCU600N65S3R0
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-251, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
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| 10+ | ₩1,180 |
| 100+ | ₩1,179 |
| 500+ | ₩1,175 |
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| 5000+ | ₩1,150 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FCU600N65S3R0
주문 코드2895718
Product RangeSuperFET III
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.493ohm
Transistor Case StyleTO-251
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation54W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-251
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
54W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.493ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET III
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0001