페이지 인쇄
FDB3652
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
입고 시 알림 요청
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩4,949 | ₩4,949 |
| 총계 가격 | ₩4,949 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩4,949 |
| 10+ | ₩3,215 |
| 100+ | ₩2,333 |
| 500+ | ₩1,703 |
| 1000+ | ₩1,669 |
| 5000+ | ₩1,635 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDB3652복사
제조업체 표준 리드 타임20주
주문 코드
리릴링1700623RL
컷 테이프1700623
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDB3652 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and micro solar inverter.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002