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FDB8832
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 34 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
포장 옵션
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDB8832복사
주문 코드
리릴링1495284RL
컷 테이프1495284
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation300W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The FDB8832 is a logic level N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for use in starter/alternator systems, electronic power steering systems and DC-to-DC converters.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00143