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FDC606P.
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDC606P.복사
주문 코드1467963
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max500mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
FDC606P.의 대체 제품
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기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
500mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85331000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):2.27