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FDC6320C.
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 5 ohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDC6320C.
주문 코드1611645RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id220mA
On Resistance Rds(on)5ohm
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel220mA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.7V
Drain Source On State Resistance P Channel13ohm
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd900mW
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel900mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
기술 사양
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
On Resistance Rds(on)
5ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
220mA
Rds(on) Test Voltage
2.7V
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id
220mA
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
13ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation Pd
900mW
Power Dissipation P Channel
900mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001