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FDD8444..
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 17.5 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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포장 옵션
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDD8444..복사
주문 코드
리릴링1228329RL
컷 테이프1228329
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id17.5A
Drain Source On State Resistance4000µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The FDD8444 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's PowerTrench® process. It is suitable for electronic transmission, distributed power architecture and VRMs applications.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
- Qualified to AEC-Q101
애플리케이션
Power Management, Automotive, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
227W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
4000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000564