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더 이상 제조되지 않음
포장 옵션
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDG6306P복사
주문 코드
리릴링2453406RL
컷 테이프2453406
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel600mA
Continuous Drain Current Id P Channel600mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.3ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.3ohm
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel300mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
FDG6306P의 대체 제품
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제품 개요
The FDG6306P is a dual P-channel MOSFET rugged gate version advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5 to 12V). It is suitable for use with battery management and load switch applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Compact industry standard surface-mount-package
- ±12V Gate to source voltage
- -0.6A Continuous drain current
- -2A Pulsed drain current
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
600mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.3ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
300mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
600mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.3ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000627
