페이지 인쇄
FDMQ86530L
Dual MOSFET, Quad N Channel, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMQ86530L
주문 코드2825170RL
기술 데이터 시트
Channel TypeQuad N Channel
Transistor PolarityQuad N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
On Resistance Rds(on)0.0175ohm
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0175ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleWDFN
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation Pd1.9W
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel1.9W
Power Dissipation P Channel1.9W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
Quad N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
8A
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0175ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
1.9W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
Quad N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
On Resistance Rds(on)
0.0175ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation Pd
1.9W
Power Dissipation N Channel
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004