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FDMS86202ET120
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 102 A, 7200 µohm, Power 56, Surface Mount
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제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMS86202ET120복사
제조업체 표준 리드 타임28주
주문 코드
리릴링3368748RL
컷 테이프3368748
Product RangePowerTrench
귀하의 부품 번호
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제조업체 표준 리드 타임: 28주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩11,071 | ₩11,071 |
| 총계 가격 | ₩11,071 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩11,071 |
| 10+ | ₩5,960 |
| 100+ | ₩5,471 |
| 500+ | ₩5,255 |
| 1000+ | ₩4,967 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMS86202ET120복사
제조업체 표준 리드 타임28주
주문 코드
리릴링3368748RL
컷 테이프3368748
Product RangePowerTrench
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id102A
Drain Source On State Resistance7200µohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation187W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
FDMS86202ET120 is a N-channel shielded gate PowerTrench® MOSFET. This N-channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s Advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Application includes DC-DC conversion.
- Shielded gate MOSFET Technology
- Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- 100% UIL tested
- 120V drain to source voltage (TA = 25°C), 102A continuous drain current (TC = 25°C)
- 3.1V maximum gate source threshold voltage (VGS=VDS, ID=250μA), 187W power dissipation (TC=25°C)
- 3275pF typical input capacitance (VDS = 60V, VGS = 0V, f = 1MHz, TJ = 25°C)
- 460pF typical output capacitance (VDS = 60V, VGS = 0V, f = 1MHz, TJ = 25°C)
- 8.75ns typical rise time (VDD = 60V, ID = 13.5A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 14.3nC gate to source charge typical (ID = 13.5A, VDD = 60V, TJ = 25°C)
- 8 pin power 56 package, operating temperature range from -55 to +175°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
102A
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
187W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
7200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0004