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FDN342P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩1,370 | ₩1,370 |
| 총계 가격 | ₩1,370 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,370 |
| 10+ | ₩853 |
| 100+ | ₩553 |
| 500+ | ₩426 |
| 1000+ | ₩383 |
| 5000+ | ₩331 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDN342P복사
주문 코드
리릴링1611160RL
컷 테이프1611160
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.062ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.05V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The FDN342P is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for load switch and battery protection applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (2.5 to 12V).
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.05V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
FDN342P의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000055