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FDP3652
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Through Hole
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더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDP3652복사
주문 코드1017692
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85369010
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002