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FDPF51N25
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 28 A, 0.06 ohm, TO-220F, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDPF51N25복사
주문 코드1324808
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation117W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2022)
제품 개요
The FDPF51N25 is an UniFET™ high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 55nC Typical low gate charge
- 63pF Typical low Crss
애플리케이션
Lighting, Power Management, Consumer Electronics
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
117W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002