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FDS6890A
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS6890A
주문 코드9844732
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel7.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.013ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDS6890A is a dual N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±8V Gate to source voltage
- 7.5A Continuous drain current
- 20A Pulsed drain current
애플리케이션
Industrial, Motor Drive & Control, Power Management
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
7.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.013ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000224