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FFB5551
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 160 V, 200 mA, 200 mW
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FFB5551복사
주문 코드3368912
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN160V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN200mA
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN30hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
160V
Continuous Collector Current NPN
200mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
30hFE
Transistor Case Style
SC-70
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004