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FGH60N60SMD
IGBT, General Purpose, 120 A, 1.9 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins
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|---|---|
| 1+ | ₩9,851 |
| 10+ | ₩6,148 |
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| 500+ | ₩4,899 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FGH60N60SMD
주문 코드1885737
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current120A
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation600W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The FGH60N60SMD is a Field Stop IGBT with high current capability and low saturation voltage.
- Fast switching
- 175°C maximum junction temperature
- Tighten parameter distribution
- High input impedance
- Positive temperature coefficient for easy parallel operating
애플리케이션
Power Management, Alternative Energy, Communications & Networking
기술 사양
Continuous Collector Current
120A
Power Dissipation
600W
Transistor Case Style
TO-247AB
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00542