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FQA40N25
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FQA40N25복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드2453885
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.051ohm
Transistor Case StyleTO-3PN
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation280W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The FQA40N25 is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 82.5nC typical low gate charge
- 70pF typical low Crss
- 100% avalanche tested
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
TO-3PN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
280W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.051ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.237229