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FQN1N50CTA
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 380 mA, 6 ohm, TO-226AA, Through Hole
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FQN1N50CTA복사
주문 코드2453901
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id380mA
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation890mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
제품 개요
The FQN1N50CTA is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 4.9nC typical low gate charge
- 4.1pF typical low Crss
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
380mA
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
890mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00024