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IRF530A
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-220, Through Hole
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더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호IRF530A복사
주문 코드2563971
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation55W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The IRF530A is a 100V N-channel Advanced Power MOSFET featured with avalanche rugged technology and rugged gate oxide technology. It has lower input capacitance and improved gate charge.
- Extended safe operating area
- Lower leakage current (10A maximum at VDS = 100V)
- Lower RDS (ON) (0.092Ω typical)
- ±20V Gate to source voltage
- 62.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient
- 2.74°C/W Thermal resistance, junction to case
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
55W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002722