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MJB44H11G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,951 |
| 10+ | ₩1,426 |
| 100+ | ₩1,134 |
| 500+ | ₩1,112 |
| 1000+ | ₩1,089 |
| 5000+ | ₩1,066 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJB44H11G복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드2535625
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation50W
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency50MHz
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
제품 개요
The MJB44H11G is a 80V NPN complementary Power Transistor designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Low collector to emitter saturation voltage (VCE (sat) = 1V maximum at 8A)
- Fast switching speeds
- Complementary pairs simplifies designs
- ESD rating - 3B <gt/> 8000V human body model, C <gt/> 400V machine model
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 2.5°C/W Thermal resistance, junction to case
- 7.5°C/W Thermal resistance, junction to ambient
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
10A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
50W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
50MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00229