페이지 인쇄
MJD44H11-1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
831 재고
더 필요하세요?
831 8-9 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,002 |
| 10+ | ₩730 |
| 100+ | ₩670 |
| 500+ | ₩609 |
| 1000+ | ₩520 |
| 5000+ | ₩510 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩2,002
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD44H11-1G복사
제조업체 표준 리드 타임16주
주문 코드2774791
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation20W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency85MHz
DC Current Gain hFE Min60hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
8A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
20W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
85MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000907