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MJE13009G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 12 A, 2 W, TO-220, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJE13009G복사
주문 코드9557865
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current12A
Power Dissipation2W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min4hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
MJE13009G의 대체 제품
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기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
12A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
4hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
2W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002