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MJE371G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Through Hole
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJE371G복사
주문 코드1459092
Product RangeMJxxxx
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max40V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation40W
Transistor Case StyleTO-225
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMJxxxx
Qualification-
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
4A
Transistor Case Style
TO-225
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
MJxxxx
Collector Emitter Voltage Max
40V
Power Dissipation
40W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85331000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000635